FP50R12KE3
Infineon
50A1200V
制造商Infineon
產品種類IGBT 模塊
RoHS是
產品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集電極—發射極電壓 VCEO1200 V
集電極—射極飽和電壓2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C75 A
柵極—射極漏泄電流400 nA
功率耗散270 W
工作溫度+ 125 C
封裝 / 箱體EconoPIM3
柵極/發射極電壓+/- 20 V
工作溫度- 40 C
安裝風格Screw
深圳市宏世佳電子科技有限公司
聯系電話:0755-82532511 82556029
傳真 :0755-82568063
聯系人 :高小姐 李先生
上一個產品:SKM400GB128D
下一個產品:SCA100T-D01